傳統的硅片清洗技術是基于美國無線電公司研發的RCA (Radio Company of America的縮寫)清洗技術,這種清洗技術必須消耗大量的強酸、強堿等洗劑,不但成本太高、污染更是大的驚人,目前只在電子級的硅片清洗中還在使用。在RCA清洗技術的原理上,可依據太陽能多晶硅片表面污染物的種類特性,開發一種低成本高效率的多晶硅片除油除塵清洗技術是必須的。采用超聲波清洗工藝,雷士超聲波科技先計算硅片的清洗數量,先確定40KHZ超聲波頻率,然后根據數量排布超聲波的功率為16KW,清洗槽的加熱溫度65℃,加熱管使用M型加熱管還是鋁基貼膜加熱,這個可以廠方需要來設定。然后計算清洗時間,分配清洗劑濃度配比一般為1:20,對污染硅片清洗后表面接觸角的影響,確定了硅片清洗劑的最佳實驗室清洗工藝為超聲功率80W,溫度60℃,清洗時間5min,清洗劑濃度10%。超聲波清洗技術清洗污染的硅片后,硅片的表面形貌不變、接觸角小和表面粗糙度低,有機物和金屬離子殘留少,具有較高的潔凈度,達到非常好的清洗效果。 |
上一篇:雷士超聲波蔬菜清洗機
下一篇:研究軸承清洗應用超聲波清洗機技術
蘇ICP備11026715號 | QQ:745251892 無錫雷士超聲波設備有限公司 版權所有 | 地址:無錫市北塘區惠錢路嚴家棚廠區 | 電話:0510-82465315 83502189 13506196276 |
Copyright © 2025 天人文章管理系統 授權使用